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ラングミュアプローブ

nen_eTeT_eVpV_pVfV_fEEDFEEDF を取得。単/双/三/エミッシブ探針と RF フィルタ・冷却・三次元ステージを選択可能。

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体验朗缪尔探针诊断流程 · 实时生成 I-V 曲线 · 支持 4 种探针模式

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単一ラングミュアプローブ (XHINS-SLP)

汎用プラズマ診断、複数形状に対応

I–V 掃引で電子/イオン密度、電子温度、プラズマ/浮遊電位、EEDFEEDF を測定。円柱/平面/球型を選択でき、RF フィルタ、冷却、3D モーションに対応。

主な特長

  • nen_e, nin_i, TeT_e, VpV_p, VfV_f, EEDFEEDF を測定
  • 形状:円柱/平面/球型
  • スキャン:リニア/三角/ステップ、自動スキャンと平均
  • 材料 W/Mo/Ta、シース Al2O3/BN/石英、モーションプラットフォーム対応

主な仕様

項目仕様
バイアス範囲±200 V(拡張可)
電流10 pA – 100 mA
探針径0.1–1.0 mm(カスタム可)
モーション/接口直線/回転/3D、KF/CF フランジ

ダブルプローブ (XHINS-DLP)

自前のリファレンスで浮遊/ノイズ環境に強い

二本の探針を対称バイアスして nen_enin_iTeT_eEEDFEEDF を取得。グラウンドが遠い/無い環境(大気射流、浮遊デバイス、強干渉)に適する。

主な特長

  • 接地依存を低減し耐ノイズ性向上
  • nen_e, nin_i, TeT_e 測定、後処理で EEDFEEDF
  • リニア/三角/ステップ掃引、自動モード対応
  • 高感度電流チェーンと多様なシースを選択可

主な仕様

項目仕様
バイアス範囲±200 V(拡張可)
電流レンジpA – mA
探針サイズ0.1–1.0 mm(カスタム可)
形状/接口円柱/平面/球型、直線/回転/3D、KF/CF

三探針システム (XHINS-TLP)

三チャネル同時取得で瞬態を高時間分解

同一サイズの三探針を同期取得し、放電サイクル内の瞬態 nen_eTeT_e を捕捉。パルス放電や推進器の瞬間応答に最適。

主な特長

  • 三チャネル同期で瞬態/パルス計測
  • 完全な I–V 掃引依存を低減し高速サンプリング
  • 外部トリガ/クロック同期に対応
  • 高帯域・フィルタオプションで SNR 改善

主な仕様

項目仕様
バイアス方式固定ネットワーク/プログラム制御
時間分解能≤ ms(前段次第で μs)
電流レンジpA – mA
チャネル/同期3ch 以上、同期・トリガ対応

エミッシブプローブ (XHINS-EP)

高 SNR でプラズマ電位と電子温度を測定

エミッシブはプラズマ電位/電子温度に高精度。細かな電位分布が必要な診断に適し、電位/温度マップの可視化出力も可能。

主な特長

  • 高精度の VpV_pTeT_e
  • 標準 LP より高い SNR と電位分解能
  • 各種構造・材料に対応し、高温/複雑流にも設置可
  • 電位/温度の可視化マップ出力

主な仕様

項目仕様
測定パラメータVpV_pTeT_e
レンジ電流 pA–mA / 電圧 ±200 V
分解能空間/エネルギー分解能はカスタム可
インターフェースKF / CF / カスタム;DAQ 同期