刻蚀工艺开发与验证
关注指标
等离子体密度、电子温度、离子能量、腔体一致性
适用场景
新配方开发、工艺窗口确认、设备间对比
交付成果
工艺基线、参数对照、异常分析摘要
半导体制造等离子体诊断方案
适用工艺项目
沉积与薄膜工艺监测
关注指标
等离子体稳定性、沉积速率、离子通量、批次一致性
适用场景
PVD 与 PECVD 工艺开发、膜层质量评估、量产导入
交付成果
趋势记录、关键参数报告、批次对比结果
腔体诊断与平台导入
关注指标
端口布置、接口约定、时序同步、设备联调
适用场景
新腔体开发、平台升级、工艺段并线导入
交付成果
接口说明、联调记录、实施建议
实施流程
方案组成与交付项
诊断与测量
控制与采集
FAB
工程集成
数据与服务
诊断与测量
- 等离子体参数测量
- 光发射监测
- 离子能量与通量分析
- 测点定位与扫描机构
控制与采集
- 配方同步
- 多通道采集
- 批次追踪
- 运行状态监控
工程集成
- 腔体端口适配
- 法兰与夹具设计
- 线缆与控制接口
- 现场安装与安全联动
数据与服务
- 参数提取与对比分析
- 报告生成
- 操作规范整理
- 培训资料与维护支持
方案书与测点配置清单
明确实施范围、测点布局和配置逻辑。
腔体接口与安装说明
说明端口位置、安装限制和接口定义。
工艺基线与标定记录
提供基线参数、标定路径和复核记录。
原始数据包与批次对照表
交付原始数据、命名规则和批次对照关系。
参数分析报告与异常排查摘要
汇总关键参数、趋势变化和分析结论。
操作规范、培训资料与维护建议
覆盖使用指导、日常复核和后续维护建议。
实施支持
现场联调支持批次复测支持远程或现场协作